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鍍膜的方法及分類
發(fā)布時(shí)間：
2022-04-15
在真空條件下成膜有很多優(yōu)點(diǎn)：可減少蒸發(fā)材料的原子、分子在飛向基板過程中于分子的碰撞，減少氣體中的活性分子和蒸發(fā)源材料間的化學(xué)反應(yīng)（如氧化等），以及減少成膜過程中氣體分子進(jìn)入薄膜中成為雜志的量，從而提供膜層的致密度、純度、沉積速率和與基板的附著力。通常真空蒸鍍要求成膜室內(nèi)等于或低于10-2P，對(duì)于蒸發(fā)源與基板距離較遠(yuǎn)和薄膜質(zhì)量要求很高的場合，則要求壓力更低。
主要分為幾類：
蒸發(fā)鍍膜和濺射鍍膜
蒸發(fā)鍍膜：它是通過加熱蒸發(fā)某種物質(zhì)使其沉積在固體表面，稱為蒸發(fā)鍍膜。這種方法最早由M.法拉第于1857年提出，現(xiàn)代已成為常用的鍍膜技術(shù)之一。
蒸發(fā)物質(zhì)如金屬、化合物等置于坩堝內(nèi)或掛在熱絲上作為蒸發(fā)源、待鍍工件，如金屬、陶瓷、塑料等基片置于坩堝前方。待系統(tǒng)抽至高真空后，加熱坩堝使其中的物質(zhì)蒸發(fā)。蒸發(fā)物質(zhì)的原子或分子以冷凝方式沉積在基片表面。薄膜厚度可由數(shù)百埃數(shù)微米。膜厚決定于蒸發(fā)源的蒸發(fā)速率和時(shí)間，并與源和基片的距離有關(guān)。對(duì)于大面積鍍膜，常采用旋轉(zhuǎn)基片或多蒸發(fā)源的方式以保證鍍膜層厚度的均勻性。從蒸發(fā)源到基片的距離應(yīng)小于蒸氣分子在殘余氣體中的平均自由程，以免分子與殘氣分子碰撞引起化學(xué)作用。蒸氣分子平均動(dòng)能約在0.1~0.2電子伏。
蒸發(fā)鍍膜方式也能應(yīng)用產(chǎn)品有很多，如：手機(jī)塑料結(jié)構(gòu)件、智能家居、數(shù)碼產(chǎn)品、化妝品包裝、工藝品、玩具、酒類包裝和電子元件等多種產(chǎn)品。
濺射鍍膜的應(yīng)用產(chǎn)品有：電子產(chǎn)品五金件、高檔鐘表、高檔首飾、品牌皮具五金件等多種產(chǎn)品。
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